台积电公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好

科学资讯 | 台积电公布N2 2nm缺陷率：比3/5/7nm都要好

快科技4月26日消息，在近日举办的北美技术论坛上，台积电首次公开了N2 2nm工艺的缺陷率(D0)情况，比此前的7nm、5nm、3nm等历代工艺都好的多。台积电没有给出具体数据，只是比较了几个工艺缺陷率随时间变化的趋势。