据悉，三星在2nm（SF2）制程的测试生产中取得了超出预期的初始良品率，达到了30%以上。这一进展使其能够为2025年第四季度计划中的2nm工艺量产奠定基础，以确保Exynos 2600的大规模生产顺利进行。
近期三星的2nm研发团队在实验性生产上获得了显著的里程碑式成果，2nm工艺的良品率已超越3nm，达到了40%以上。凭借当前的发展速度，预计可以及时支持Exynos 2600的量产计划。
尽管取得了这些进展，但三星的表现与市场竞争对手台积电（TSMC）相比仍有差距。去年12月，台积电在其2nm制程的试产中实现了60%以上的良品率，最近传闻显示其良品率已提升至70%至80%，接近量产水平。
SF2制程技术融入了三星的第三代GAA（Gate-All-Around）架构晶体管，与3nm的SF3相比，其性能提高12%，功耗效率提升25%，并且芯片面积缩减了5%。三星还计划在2nm节点引入“BSPDN（背面供电网络）”技术，将电源轨置于晶圆背面，从而消除电源线和信号线的瓶颈问题，解决FSPDN（前端供电网络）导致的布线阻塞难题，进一步提升性能及能效，并减少芯片尺寸。
